原理
CV法利用PN結或肖基勢壘在反向偏壓時的電容性，可以獲得材料中雜質濃度及其分布的信息，這類測量成為C-V測量。這種測量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質濃度的分布信息。
組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應（勢壘電容），加正向偏壓時，PN結勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。
該儀器采用電電壓測量方法，它用微處理器通過8 次電壓測量來計算每次測量后要求的參數值。用個相敏檢波器和模數轉換器順序快速成電壓測量。正交測量通過交換測量信號的相位來行，而不是參考相位檢測。因而不需要的模擬相位轉換成電壓矩形波電路。通過從同個頻信號源形成測試信號和參考信號，來保證正確的相位關系。由微處理器根據已知的頻率和測試信號相位，用ROM 存儲器內的程序和所存儲的按鍵選擇來控制測量順序，以及存儲在RAM 中的校準數據來計算被測元件數值。

3. HAD-CV300參數
3.1. 測試信號頻率：1.000MHz±0.01%
3.2. 測試信號電壓：≤100mVrms
3.3. 測量速率：慢3次/秒，快5次/秒
3.4. 測量范圍：
電容C：0.001-10000 pF
漏電：0.01-19.99μA
3.5. 直偏壓：儀器自帶偏壓0.01-35V，分辨率：0.01V；（可外接偏壓源拓展，zui大偏壓輸入為100V）
3.6. 作誤差：±5.0%±2字
3.7. 預熱時間：30min
3.8. 供電電源：
交電壓：220V±10%，頻率：50Hz±5%，消耗率：≤40W
3.9. 作環(huán)境
        溫度：0-40℃， 濕度：≤65%